Южнокорейская компания Samsung, специалисты которой уже давно разрабатывают процессоры для Qualcomm, официально объявила о расширении сотрудничества с известным чипмейкером из США. Об этом пишут сегодня «Утренние новости».
Официальные представители двух крупных компаний подчеркнули, что намерены совместными усилиями создавать очередную флагманскую смартфонную систему на кристалле Qualcomm – Snapdragon 835.
По словам первого вице-президента подразделения по управлению производством Qualcomm Technologies Inc. Кита Крессина, его компания рассчитывает на то, что применение высококлассных технологий от Samsung Electronics позволит обеспечить, прежде всего, производительность и энергетическую эффективность топового процессора Snapdragon 835. Специалист уточнил также, что такая совместная работа даст возможность оснастить устройство рядом принципиально новых функций, представляющих важность для пользователей.
10-нанометровый Snapdragon 835: технические характеристики
О своей готовности создавать чипы по 10-нм техпроцессу официальные представители южнокорейского гиганта Samsung заявили в октябре текущего года. Если сравнивать с 14-нм FinFET-чипами, то у 10-нм кристаллов разработчикам удалось на 30 процентов увеличить эффективную площадь поверхности. При этом производительность выросла на 27, а энергопотребление снизилось на 40 процентов. Таким образом, Snapdragon 835 становится меньше, чем его предшественники, но заряд батареи он будет расходовать экономнее.
Специалисты намерены оснастить Snapdragon 835 современной технологией быстрой зарядки Qualcomm Quick Charge четвёртого поколения. Она обладает способностью обеспечивать до пяти часов активного функционирования устройства всего за пять минут подключения его к зарядке. Эксперты уточнили, что это будет на 20 процентов быстрее, чем в случае с Qucik Charge 3.0.
Новый стандарт полностью удовлетворяет всем требованиям интерфейса USB-C и Google.
